Создание и скриптов по работе с API , парсинг XML
+7 (995) 897-24-25
0
8 (995) 897-24-25
WhatsApp, Viber, Telegram

Твердотельный накопитель/ Samsung SSD 990 PRO, 4000GB, M.2(22x80mm), NVMe 2.0, PCIe 4.0 x4, V-NAND TLC, R/W 7450/6900MB/s, IOPs 1 400 000/1 550 000, DRAM buffer 4096MB, TBW 2400, DWPD 0.33 (12 мес.)

1000736157
  • Твердотельный накопитель/ Samsung SSD 990 PRO, 4000GB, M.2(22x80mm), NVMe 2.0, PCIe 4.0 x4, V-NAND TLC, R/W 7450/6900MB/s, IOPs 1 400 000/1 550 000, DRAM buffer 4096MB, TBW 2400, DWPD 0.33 (12 мес.)
  • Твердотельный накопитель/ Samsung SSD 990 PRO, 4000GB, M.2(22x80mm), NVMe 2.0, PCIe 4.0 x4, V-NAND TLC, R/W 7450/6900MB/s, IOPs 1 400 000/1 550 000, DRAM buffer 4096MB, TBW 2400, DWPD 0.33 (12 мес.)
  • Твердотельный накопитель/ Samsung SSD 990 PRO, 4000GB, M.2(22x80mm), NVMe 2.0, PCIe 4.0 x4, V-NAND TLC, R/W 7450/6900MB/s, IOPs 1 400 000/1 550 000, DRAM buffer 4096MB, TBW 2400, DWPD 0.33 (12 мес.)
  • Твердотельный накопитель/ Samsung SSD 990 PRO, 4000GB, M.2(22x80mm), NVMe 2.0, PCIe 4.0 x4, V-NAND TLC, R/W 7450/6900MB/s, IOPs 1 400 000/1 550 000, DRAM buffer 4096MB, TBW 2400, DWPD 0.33 (12 мес.)
  • Твердотельный накопитель/ Samsung SSD 990 PRO, 4000GB, M.2(22x80mm), NVMe 2.0, PCIe 4.0 x4, V-NAND TLC, R/W 7450/6900MB/s, IOPs 1 400 000/1 550 000, DRAM buffer 4096MB, TBW 2400, DWPD 0.33 (12 мес.)
  • Твердотельный накопитель/ Samsung SSD 990 PRO, 4000GB, M.2(22x80mm), NVMe 2.0, PCIe 4.0 x4, V-NAND TLC, R/W 7450/6900MB/s, IOPs 1 400 000/1 550 000, DRAM buffer 4096MB, TBW 2400, DWPD 0.33 (12 мес.)
  • Твердотельный накопитель/ Samsung SSD 990 PRO, 4000GB, M.2(22x80mm), NVMe 2.0, PCIe 4.0 x4, V-NAND TLC, R/W 7450/6900MB/s, IOPs 1 400 000/1 550 000, DRAM buffer 4096MB, TBW 2400, DWPD 0.33 (12 мес.)
  • Твердотельный накопитель/ Samsung SSD 990 PRO, 4000GB, M.2(22x80mm), NVMe 2.0, PCIe 4.0 x4, V-NAND TLC, R/W 7450/6900MB/s, IOPs 1 400 000/1 550 000, DRAM buffer 4096MB, TBW 2400, DWPD 0.33 (12 мес.)
Ощутите длительную и высокую производительность PCIe 4.0. Интеллектуальная система управления нагревом встроенного контроллера обеспечивает высочайшую энергоэффективность при сохранении скорости и производительности, что помогает вам оставаться на вершине игры Твердотельный накопитель Samsung NVMe на базе недавно разработанного контроллера собственной разработки Скорость последовательного чтения/записи до 7450/6900 МБ/с Энергоэффективный твердотельный накопитель, надежный термоконтроль

Технические данные

  • DRAM буфер 1
  • TBW твердотельного накопителя 2400
  • Ёмкость накопителя 4000
  • Интерфейс PCIe 4.0 x4 (NVMe)
  • Модель Samsung 990 PRO
  • Назначение Клиентские ПК
  • Объём DRAM буфера 4096
  • Скорость последовательного чтения 7450
  • Скорость последовательной записи 6900
  • Среднее число операций произвольного чтения в секунду (4 КБайт, 1400000
  • Среднее число операций произвольной записи в секунду (4 КБайт, Q 1550000
  • Средняя наработка на отказ 1500000
  • Тип памяти V-NAND
  • Форм-фактор M.2 2280
В наличии на складе: 460 шт.
Склад Москва: 460 шт.
40110.00р.
  • На складе
  • Код товара: MZ-V9P4T0BW
  • ean: 8806094947205
  • Код ТН ВЭД: 8471709800
  • Идентификатор товара: 1000736157
  • Артикул: 1000736157
Samsung Electronics

Отзывы (0)

Оставить отзыв

Внимание: теги HTML не поддерживаются!

Подробнее...