Создание и скриптов по работе с API , парсинг XML
+7 (995) 897-24-25
0
8 (995) 897-24-25
WhatsApp, Viber, Telegram

Твердотельный накопитель/ Samsung SSD 990 PRO, 4000GB, M.2(22x80mm), NVMe 2.0, PCIe 4.0 x4, V-NAND TLC, R/W 7450/6900MB/s, IOPs 1 400 000/1 550 000, DRAM buffer 4096MB, TBW 2400, DWPD 0.33, with Heatsink (12 мес.)

1000736156
  • Твердотельный накопитель/ Samsung SSD 990 PRO, 4000GB, M.2(22x80mm), NVMe 2.0, PCIe 4.0 x4, V-NAND TLC, R/W 7450/6900MB/s, IOPs 1 400 000/1 550 000, DRAM buffer 4096MB, TBW 2400, DWPD 0.33, with Heatsink (12 мес.)
  • Твердотельный накопитель/ Samsung SSD 990 PRO, 4000GB, M.2(22x80mm), NVMe 2.0, PCIe 4.0 x4, V-NAND TLC, R/W 7450/6900MB/s, IOPs 1 400 000/1 550 000, DRAM buffer 4096MB, TBW 2400, DWPD 0.33, with Heatsink (12 мес.)
  • Твердотельный накопитель/ Samsung SSD 990 PRO, 4000GB, M.2(22x80mm), NVMe 2.0, PCIe 4.0 x4, V-NAND TLC, R/W 7450/6900MB/s, IOPs 1 400 000/1 550 000, DRAM buffer 4096MB, TBW 2400, DWPD 0.33, with Heatsink (12 мес.)
  • Твердотельный накопитель/ Samsung SSD 990 PRO, 4000GB, M.2(22x80mm), NVMe 2.0, PCIe 4.0 x4, V-NAND TLC, R/W 7450/6900MB/s, IOPs 1 400 000/1 550 000, DRAM buffer 4096MB, TBW 2400, DWPD 0.33, with Heatsink (12 мес.)
  • Твердотельный накопитель/ Samsung SSD 990 PRO, 4000GB, M.2(22x80mm), NVMe 2.0, PCIe 4.0 x4, V-NAND TLC, R/W 7450/6900MB/s, IOPs 1 400 000/1 550 000, DRAM buffer 4096MB, TBW 2400, DWPD 0.33, with Heatsink (12 мес.)
  • Твердотельный накопитель/ Samsung SSD 990 PRO, 4000GB, M.2(22x80mm), NVMe 2.0, PCIe 4.0 x4, V-NAND TLC, R/W 7450/6900MB/s, IOPs 1 400 000/1 550 000, DRAM buffer 4096MB, TBW 2400, DWPD 0.33, with Heatsink (12 мес.)
  • Твердотельный накопитель/ Samsung SSD 990 PRO, 4000GB, M.2(22x80mm), NVMe 2.0, PCIe 4.0 x4, V-NAND TLC, R/W 7450/6900MB/s, IOPs 1 400 000/1 550 000, DRAM buffer 4096MB, TBW 2400, DWPD 0.33, with Heatsink (12 мес.)
  • Твердотельный накопитель/ Samsung SSD 990 PRO, 4000GB, M.2(22x80mm), NVMe 2.0, PCIe 4.0 x4, V-NAND TLC, R/W 7450/6900MB/s, IOPs 1 400 000/1 550 000, DRAM buffer 4096MB, TBW 2400, DWPD 0.33, with Heatsink (12 мес.)
• Gen4 выходит на арену с улучшением случайной производительности более чем на 55% по сравнению с 980 PRO.• Благодаря скорости чтения и записи до 7450/6900 МБ/с² вы достигнете почти максимальной производительности PCIe® 4.0³ при любом использовании.• Выделите себе немного места с объемом памяти от 1 ТБ до 4 ТБ.• Сверхтонкий встроенный радиатор отводит тепло от вашего устройства, обеспечивая непрерывную игру.

Технические данные

  • DRAM буфер 1
  • TBW твердотельного накопителя 2400
  • Ёмкость накопителя 4000
  • Интерфейс PCIe 4.0 x4 (NVMe)
  • Кэш-память 1000
  • Модель Samsung 990 PRO
  • Назначение Клиентские ПК
  • Объём DRAM буфера 4096
  • Скорость последовательного чтения 7450
  • Скорость последовательной записи 6900
  • Среднее число операций произвольного чтения в секунду (4 КБайт, 1400000
  • Среднее число операций произвольной записи в секунду (4 КБайт, Q 1550000
  • Средняя наработка на отказ 1500000
  • Тип памяти V-NAND
  • Форм-фактор M.2 2280
В наличии на складе: 366 шт.
Склад Москва: 366 шт.
39630.00р.
  • На складе
  • Код товара: MZ-V9P4T0CW
  • ean: 8806094946857
  • Код ТН ВЭД: 8471709800
  • Идентификатор товара: 1000736156
  • Артикул: 1000736156
Samsung Electronics

Отзывы (0)

Оставить отзыв

Внимание: теги HTML не поддерживаются!

Подробнее...